实际测量与模拟结果之间的比较如图6g所示，区块这与该模型能够预测由TENG驱动的DEA响应相矛盾。

因此，链技立聚研究者们已经致力于构建SiOC/C杂化物以进一步提高电化学性能。同时，源领域创源数Si-O-Si单元破裂，O原子倾向于被Li原子包围。

新中心成（III）用于电子转移增强的超细Ni纳米颗粒装饰。Si-（Si3O），字化Si-（Si2O2）和Si-（SiO3）来自Si/SiO2界面。区块硅酸锂和Li2O通常是不可逆相。

Yoon等人合成了预锂化的SiO/C负极，链技立聚与原始SiO/C相比，它表现出较低的初始容量损失和较高的首次库伦效率。这种负极材料具有突出的循环寿命但容量有限的特征，源领域创源数而相对低的容量严重限制了锂离子电池的能量密度。

3.2、新中心成SiOx的电化学性能3.2.1、纯的SiOx负极材对裸SiOx基负极的研究主要集中在研究SiOx中O含量对其电化学性能的影响。

为了整合这两种硅氧化物的优点，字化Yan和同事设计了一种SiOx/SiOy双层纳米膜负极。区块通过TENG的激发产生电极和颗粒之间的静电吸引力。

液体Ga和FEP之间的摩擦，链技立聚实现了约0.22mCm-2的电荷密度。图7a是三层滑动TENG的示意图，源领域创源数其含有独立摩擦电层的PTFE薄膜和四个Al箔组成两对正交电极。

介电弹性体的变形精度受其粘弹性的影响，新中心成压电陶瓷在较低的驱动电压下，具有更高的精度。2、字化TENG材料及其制备方法2.1材料的选择几乎所有材料都具有摩擦起电效应，包括金属、聚合物、木材等。